晶圆光刻胶

KrF光刻胶是以氟化氪（KrF）激光（波长248nm）为曝光光源的光刻胶，，，由成膜树脂、、、
、光酸、
、
、溶剂及助剂等配制而成，，，具有高分辨率
、、耐刻蚀等优点
，，，，主要应用于0.13μm以上线宽的半导体光刻工艺
。。。
。公司目前已开发的KrF光刻胶产品适用工艺包括Poly、
、、、AA、、
、、Metal、、、Implant
、、Contact Hole、、、Via等，，应用领域包括存储，，，逻辑以及CIS特色工艺（高深宽比应用）。
。。。

膜厚100-5000nm

CD ≥120 nm

浸没式ArF光刻胶是以氟化氩（ArF）激光（波长193nm）为曝光光源的光刻胶
，，，主要用于45nm以下集成电路制造技术节点。。。公司已开发的浸没式ArF 光刻胶产品包括正显影（PTD）和负显影(NTD)两类，，适用工艺包括Poly、、、、Metal、、、Contact Hole、、
、Via等，
，，，应用领域涉及存储（3D NAND, DRAM）和高性能逻辑器件。。。
。

膜厚50-200nm

CD ≥37.5 nm