清洗液

用于集成电路制造中，
，金属铜后清洗的碱性配方型清洗液，，能有效去除表面颗粒、、有机物及金属污染物，
，并兼具铜保护功能，，已在存储器件与逻辑器件量产中使用。
。

产品清洗效果优异，
，安全性能高，，，Q-time较高，
，，对铜的腐蚀速率低

用于集成电路制造中，
，
，金属铜及金属钨CMP后清洗的酸性配方型清洗液，，，，应用覆盖多个工艺节点
，
，，，能有效去除表面颗粒、、、有机物及金属污染物。。

产品清洗效果优异
，
，，安全性能高，，对铜的腐蚀速率低

用于集成电路制造中
，，
，金属钨和氮化硅CMP后清洗的配方型清洗液，，，在涉及多重材料界面的CMP后清洗工艺中具有良好的清洁表现。。
。。产品已在逻辑器件量产中使用。。。。

产品对W、、SiN
、、、
、TEOS、
、、TiN和Co等多种材料具有良好的兼容性及清洗效果

用于集成电路制造中，，，
，金属钨清除沾污的酸性配方型清洗液，
，，，旨在针对抛光垫表面清洁
，
，，用于降低金属栅极工艺的沾污程度。
。。。

产品对W、、SiN、、、Co、、Al、、Ti、、、、TiN具有极低的腐蚀速率及良好的清洗效果

用于集成电路制造中，
，，金属钨CMP后清洗的弱酸型清洗液，，，主要用于金属栅极清洗，，，，已在逻辑器件量产中使用。。。

产品在W和TEOS表面拥有很好的清洗性能，，
，，同时对W、、SiN、、TEOS、
、TiN以及Co拥有良好的材料兼容性。
。。

用于集成电路制造中，
，金属铝CMP后清洗的酸性清洗液
，
，具有良好的清洁表现及极低的缺陷率，，已在逻辑器件量产中使用。。

产品清洗效果优异，，，与Al、、TEOS等多种材料兼容性佳
，
，，对铝的腐蚀速率较低。
。。。

用于集成电路制造中，，多晶硅和氮化硅 CMP后清洗的配方型清洗液，，应用于抛光垫表面，，能有效去除表面颗粒污染物，，已在逻辑器件量产中使用。。
。。

产品兼容Poly-Si、、、、SiN和TEOS
，，可以适用于STI
、
、ILD、、、ILD0以及Poly等制程的辅助清洗